Ляпуновские чтения 2020

В рамках Ляпуновских чтений будут проведены конкурсы теоретических и прикладных работ и конкурсы работ молодых учёных ИДСТУ СО РАН, а также конкурсы среди молодых учёных ИДСТУ СО РАН по результатам их научной деятельности («Результаты научной деятельности») в номинациях:

Профессиональные достижения в области математики.
Профессиональные достижения в области информационных технологий.
Лучший аспирант ИДСТУ.

На конкурсы теоретических и прикладных работ и конкурсы работ молодых ученых ИДСТУ СО РАН представляются выполненные в ИДСТУ СО РАН труды штатных сотрудников и аспирантов института в виде монографий, циклов статей по единой тематике, принятых или опубликованных в журналах, включенных в международные базы цитирования, программных разработок, на которые получены охранные свидетельства и других разработок, защищенных авторскими свидетельствами и патентами за последние 5 лет.

Победители конкурсов «Результаты научной деятельности» среди молодых учёных определяются на основе следующих показателей:

Публикационная активность (статьи WoS, Scopus, ВАК, РИНЦ).
Патентная деятельность.
Участие в работе международных и всероссийских конференций.
Участие в научных проектах и грантах (с указанием роли участия — руководитель или исполнитель).
Другие награды и достижения.
Сведения о ходе обучения в аспирантуре — результаты экзаменов и зачетов (для конкурса «Лучший аспирант ИДСТУ»).

Для участия в конкурсах Ученому секретарю Е.С. Фереферову не позднее 25 ноября 2021 г. лично или на e-mail: fereferov@icc.ru предоставляются материалы по работе (монографии, оттиски статей, копии охранных свидетельств) с аннотацией. Выдвижение работ, занявших призовые места в данном конкурсе в прошлые годы, не допускается. В случае если работы выполнены коллективом (в соавторстве), представляются сведения о личном вкладе конкурсанта, согласованные с соавторами.

В конкурсе работ молодых ученых могут участвовать сотрудники института, возраст которых не превышает 35 лет.

ПОЛОЖЕНИЕ о Ляпуновских чтениях и конкурсах работ учёных ИДСТУ СО РАН